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W29GL128C
8.7
Erase and Programming Performance
PARAMETER
Chip Erase Time
Sector Erase Time
Chip Programming Time
Word Programming Time
MIN
LIMITS
TYP (1)
38.4
0.3
48
6
MAX (2)
256
2
224
200
UNITS
Sec
Sec
Sec
μs
Total Write Buffer Time
ACC Total Write Buffer Time
Erase/Program Cycles
100,000
192
154
μs
μs
Cycles
Table 8-10
Notes:
AC Characteristics for Erase and Programming Performance
8.8
1.
2.
3.
4.
Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0V V CC . Programming specifications
assume checkerboard data pattern.
Maximum values are measured at V CC = 3.0 V, worst case temperature. Maximum values are valid up to and
including 100,000 program/erase cycles.
Erase/Program cycles comply with JEDEC JESD-47E & A117A standard.
Exclude 00h program before erase operation.
Data Retention
PARAMETER
Data Retention
CONDITION
55°C
MIN
20
MAX
UNIT
Years
Table 8-11
Data Retention
8.9
Latch-up Characteristics
PARAMETER
Input Voltage different with GND on #WP/ACC and A9 pins
Input Voltage difference with GND on all normal input pins
V CC Current
All pins included except V CC . Test condition is V CC =3.0V, one pin per test.
Table 8-12
Latch-up Characteristics
8.10 Pin Capacitance
MIN
-1.0V
-1.0V
-100mA
MAX
10.5V
1.5xV CC
+100mA
DESCRIPTION
Control Pin Capacitance
Output Capacitance
Input Capacitance
PARAMETER
CIN2
COUT
CIN
TEST SET
VIN=0
VOUT=0
VIN=0
TYP.
7.5
8.5
6
MAX
9
12
7.5
UNIT
pF
pF
pF
Table 8-13
Pin Capacitance
54
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